LEADER 01620nz  a2200313n  4500
001 981058505051306706
005 20210802122700.0
008 140321|||anznnbabn          |a ana     d
040   $aES-BaUB$bcat$cES-BaUB$fthub
072  7$aTH 53$2thub
072  7$aTH 62$2thub
150   $aMetall-aïllant-semiconductors
450   $aEstructura MIS
450   $aMIS (Electrònica)
450   $aMIS (metal-insulator-semiconductor)
450   $aTecnologia MIS
450   $aTransistors MIS
550   $wg$aMetall-òxid-semiconductors
670   $aTERMCAT, consulta feta el 21 de març, 2014$b(metall-aïllant-semiconductor; ca MIS, n m sigla, es metal-aislante-semiconductor, es MIS sigla, en metal-insulator-semiconductor, en MIS sigla  <Telecomunicacions > Tecnologia electrònica>; Estructura constituïda per un semiconductor sobre el qual es diposita una capa d'un dielèctric qualsevol que fa d'aïllant i, a continuació, una capa de metall.  Nota: La sigla MIS correspon a la denominació anglesa metal-insulator-semiconductor.) 
670   $aLCSH, consulta feta el 21 de març, 2014$b(punt d'accés: Metal insulator semiconductors)
670   $aRAMEAU, consulta feta el 21 de març, 2014$b(punt d'accés: MIS (électronique))
675   $aLEMAC;$aAutoridades BNE, cerca feta el 21 març 2014
750  7$aEstructura metal aislante semiconductor$2thub//spa
750  7$aMetal insulator semiconductors$2thub//eng
750  7$aMIS (électronique)$2thub//fre
996   $a.a13368473$b25-03-21$c21-03-14$d-$ed$f-
909   $a11$5ES-BaUB
990   $aTHUB Tema$5ES-BaUB
035   $a(ES-BaUB).a13368473